Технические характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1066 МГц Пропускная способность 8500 Мб/с Объем 1 модуль 2 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 5 RAS to CAS Delay (tRCD) 5 Row Precharge Delay (tRP) 5 Activate to Precharge Delay (tRAS) 15 Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка Напряжение питания 2.2 В Радиатор есть